Společnost Micron spustila produkční verzi 12 vrstvy HBM3E čipu vhodné pro příští generaci GPU umělé inteligence (AI) s kapacitou zásobníku paměti až 36 GB a rychlosti přesahující 9,2 GB/s.Micron uvedl, že v současné době dodává produkci přenosné 12 vrstvy HBM páté generace HBM (HBM3E) důležitým partnerům v průmyslovém řetězci AI pro postupy ověření.

Micron oficiálně oznámil spuštění paměti HBM3E s 12 vrstvami 9. září.Nový produkt má kapacitu 36 GB a je určen pro špičkové procesory pro pracovní zátěž AI a HPC (vysoce výkonné výpočetní techniky), jako jsou GPU H200 a B100/B200 NVIDIA.

Micron's 12 vrstva HBM3E paměťová zásobník má kapacitu 36 GB, což je o 50% vyšší než předchozí 8vrstvá verze (24 GB).Zvýšení kapacity umožňuje datovým centrům spustit větší modely AI na jednom procesoru.Tato funkce eliminuje potřebu častého vykládání CPU, snižuje latenci komunikace mezi GPU a zrychluje zpracování dat.

Pokud jde o výkon, může Micron's 12 vrstvové zásobníky HBM3E poskytnout šířku pásma paměti přesahující 1,2 TB/S a přenos dat přesahující 9,2 GB/s.Podle Microna společnost HBM3E společnosti poskytuje nejen 50% více paměťové kapacity než její konkurenti, ale také spotřebovává méně energie než 8vrstvý zásobník HBM3E.

Micron's 12 vrstvy HBM3E zahrnuje plně programovatelný systém vestavěného auto-testu (MBIST), aby byl zajištěn rychlejší čas produktu na trh a spolehlivost pro zákazníky.Tato technologie může simulovat provoz na úrovni systému plnou rychlostí, což umožňuje komplexní testování a rychlejší ověření nových systémů.

Paměťová zařízení Micron HBM3E jsou kompatibilní s technologií balení Cowos TSMC, která se široce používá v balíčcích AI procesorů, jako jsou H100 a H200 NVIDIA.

Uvádí se, že Micron začal vyvíjet svá paměťová řešení nové generace, včetně HBM4 a HBM4E.Tyto nadcházející typy paměti budou i nadále uspokojit rostoucí poptávku po pokročilé paměti v procesorech AI, včetně GPU NVIDIA založené na architekturách Blackwell a Rubin.