SIS902DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty
SIS902DN-T1-GE3.pdf

Můžeme dodat Vishay / Siliconix SIS902DN-T1-GE3, použijte formulář žádosti o cenovou nabídku na vyžádání SIS902DN-T1-GE3 pirce, Datový list Vishay / Siliconix PDF a čas vedení. Zeanoit.com je profesionální distributor elektronických komponentů. S 3 a více miliony řádkových položek dostupných elektronických součástek může v krátké době dodávat více než 250 000 kusů elektronických součástek na skladě pro okamžité dodání, které mohou obsahovat číslo dílu SIS902DN-T1-GE3. Cena a doba dodání pro SIS902DN-T1-GE3 v závislosti na množství potřebné, dostupnosti a umístění skladu.

Request Quote

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Vgs (th) (max) 'Id:	2.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:	PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:	TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:	186 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:	15.4W
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	PowerPAK® 1212-8 Dual
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	175pF @ 38V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:	6nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
FET Feature:	Standard
Drain na zdroj napětí (Vdss):	75V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:	4A