RN1105MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty

1.Při objednávce prosím potvrďte Detail, který obsahuje číslo dílu a výrobce produktů.
2.Pokud máte kusovník (BOM) seznam vyžadovat citovat. Můžete poslat na náš e-mail.
3.Můžete nám poslat e-mailem, abyste před odesláním změnili podrobnosti objednávky.
4.Orders nelze zrušit po odeslání balíčků.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimální:1; Násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
8000	$0.029
16000	$0.025
24000	$0.023
56000	$0.02
65535	$0.017

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC:	300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type:	NPN - Pre-Biased
Dodavatel zařízení Package:	VESM
Série:	-
Odpor - Vysílač Base (R2) (Ohm):	47k
Odpor - Base (R1) (Ohm):	2.2k
Power - Max:	150mW
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	SOT-723
Typ montáže:	Surface Mount
Frekvence - Přechod:	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max):	500nA
Proud - Collector (Ic) (Max):	100mA