CSD18532NQ5BT

N/A
MOSFET N-CH 60V 100A
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty

1.Při objednávce prosím potvrďte Detail, který obsahuje číslo dílu a výrobce produktů.
2.Pokud máte kusovník (BOM) seznam vyžadovat citovat. Můžete poslat na náš e-mail.
3.Můžete nám poslat e-mailem, abyste před odesláním změnili podrobnosti objednávky.
4.Orders nelze zrušit po odeslání balíčků.

Request Quote

In Stock~~230 pcs~~: Minimální:1; Násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$2.52
10	$2.263
100	$1.819

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Vgs (th) (max) 'Id:	3.4V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technika:	MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:	8-VSON (5x6)
Série:	NexFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:	3.4 mOhm @ 25A, 10V
Ztráta energie (Max):	3.1W (Ta), 156W (Tc)
Obal:	Original-Reel®
Paket / krabice:	8-PowerTDFN
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	5340pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:	64nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):	6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):	60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:	100A (Ta)