Účet Odhlásit se

Požádejte o nabídku

Žádost o nabídku

SPD02N50C3

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty
SPD02N50C3.pdf

část č. SPD02N50C3 Je to součást běžně používaná? : Ano
Dodáno z: skladu HK nebo Singapuru
Stejný model může mít více šarží, obrázky pouze pro informaci.
Modely ECAD: Kontaktujte nás a získejte
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Nákupní proces

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Vgs (th) (max) 'Id:	3.9V @ 80µA
Technika:	MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:	PG-TO252-3
Série:	CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Ztráta energie (Max):	25W (Tc)
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	190pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:	9nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Drain na zdroj napětí (Vdss):	560V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:	1.8A (Tc)

Pokud jste dostali nesprávné kompakty, které nejsou nařízeny. Budeme zkoumat, kdo bude mít odpovědnost za problém.

Pokud je to naše, doručíme správné kompakty pro výměnné zboží poté, co jsme obdrželi nesprávné odeslání komponu.

Pokud je to na vás, zákazník o tom vezme odpovědnost. Za podrobnosti prosím kontaktujte s naším zákaznickým servisem nebo prodejem.