DMN3032LE-13

Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty
DMN3032LE-13.pdf

Dodáváme DMN3032LE-13, použijeme poptávkový formulář k požadování DMN3032LE-13 pirce a lead time.Zeano je profesionální distributor elektronických součástí. S 3 a více miliony řádkových položek dostupných elektronických součástek může v krátké době předat více než 250 tisíc kusů elektronických součástek na skladě pro okamžité dodání, které mohou obsahovat číslo dílu DMN3032LE-13. Cena a doba dodání pro DMN3032LE-13 v závislosti na množství požadované a umístění skladu.Kontaktujte nás a náš obchodní zástupce Vám poskytne cenu. Těšíme se na spolupráci s vámi.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimální:1; Násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
2500	$0.213
5000	$0.199
12500	$0.186
25000	$0.176

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Vgs (th) (max) 'Id:	2V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technika:	MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:	SOT-223
Série:	-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:	29 mOhm @ 3.2A, 10V
Ztráta energie (Max):	1.8W (Ta)
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	TO-261-4, TO-261AA
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	498pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:	11.3nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):	4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):	30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:	5.6A (Ta)