NTR4170NT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3
Bez olova / V souladu RoHS
Diskrétní polovodičové produkty
NTR4170NT3G.pdf

Dodáváme NTR4170NT3G, použijeme poptávkový formulář k požadování NTR4170NT3G pirce a lead time.Zeano je profesionální distributor elektronických součástí. S 3 a více miliony řádkových položek dostupných elektronických součástek může v krátké době předat více než 250 tisíc kusů elektronických součástek na skladě pro okamžité dodání, které mohou obsahovat číslo dílu NTR4170NT3G. Cena a doba dodání pro NTR4170NT3G v závislosti na množství požadované a umístění skladu.Kontaktujte nás a náš obchodní zástupce Vám poskytne cenu. Těšíme se na spolupráci s vámi.

Request Quote

Specifikace
Recenze
Platba
Lodní doprava
Obal

Vgs (th) (max) 'Id:	1.4V @ 250µA
Technika:	MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:	SOT-23-3 (TO-236)
Série:	-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:	55 mOhm @ 3.2A, 10V
Ztráta energie (Max):	480mW (Ta)
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	432pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:	4.76nC @ 4.5V
Typ FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Drain na zdroj napětí (Vdss):	30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:	-